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Samsung RAM via EUV pour la production DDR5

Nouveau PFM amélioré de Samsung

Samsung est maintenant la première entreprise à utiliser EUV pour fabriquer des DRAM, après avoir fourni un million de puces DDR4 DDR4 fabriquées par EUV à 10 clients à divers clients. Ce sera leur processus préféré à l'avenir, car il réduit le nombre de masques requis pendant la fabrication, car la première étape commence à une échelle beaucoup plus petite que les méthodes actuelles. Vous ne remarquerez peut-être pas de différence de performance sur le nouveau Samsung DDR4, mais vous devriez voir des exigences de tension plus faibles et cela aura un effet positif sur la quantité de stock disponible et pourrait éventuellement faire baisser le prix.

La vraie nouvelle est que cela signifie que la DDR5 et le LPDDR5 sont sur la bonne voie et Samsung sera en mesure de produire beaucoup de volume rapidement grâce à leur maîtrise de l'EUV. Le premier lot devrait être disponible en 2021, alors attendez-vous à une multitude de nouvelles conceptions de chipset peu de temps après, qui offriront une compatibilité avec la nouvelle RAM.

Diverses entreprises ont travaillé à la mise en œuvre de l'EUV, par exemple Intel y travaille depuis environ 2001, mais jusqu'à présent, n'a pas été en mesure de l'appliquer efficacement aux produits de consommation à grande échelle. TSMC, d'autre part, produit ses puces N7 + 7 nm qui utilisent EUV depuis plus d'un an. C'est pourquoi la croyance que Samsung DDR5 peut être plus heureux de fonctionner à des tensions inférieures, car ces puces de 7 nm utilisent 10% moins d'énergie que les puces fabriquées dans le sens traditionnel du terme.

Pop par The Register pour en savoir plus.

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